新的易失性存储器是1.铁电存储器（FeRAM）2。
磁随机存取存储器（MRAM）3。
相变存储器（OUM）。
与传统的半导体存储器相比，FeRAM，MRAM和OUM三个存储器具有许多突出的优点，它们的应用前景非常诱人。
近年来，人们在研究方面取得了可喜的进展，特别是FeRAM已经初步实现了贸易应用。
但他们必须在实际应用中取得进一步的重大突破，仍有许多研究工作要做。
与此同时，存储技术的发展是无止境的，但更高密度，更大带宽，更低功耗，更短延迟，更低成本和更高可靠性的目标永远不会改变。
非易失性存储器的特征在于在断电时不丢失内容。
闪存是一种非易失性存储器，即使在电源关闭后也能保留片上信息。
对于诸如DRAM和SRAM的易失性存储器，当电源关闭时，片上信息会丢失。
闪存设置其他类型的非易失性存储器的特性。
与EPROM相比，闪存具有明显的优势。
例如，该系统是电可擦除和可重新编程的，没有特殊的高压;与EEPROM相比，闪存具有低成本和高密度的特点。
虽然目前最先进的非易失性存储器是闪存，但该技术并未停止。
制造商正在开发各种新技术，使闪存像DRAM和SDRAM一样快速，低成本和长寿命。
FRAM是下一代非易失性存储器技术，功耗低，可在断电后长时间存储数据。
它结合了高速RAM读写和ROM长期存储的功能。
该技术利用了铁电材料可以保持信息的事实，并且直到最近才使用工业标准CMOS半导体存储器制造工艺生产。
然而，FRAM的寿命是有限的，并且其读取是破坏性的，这意味着一旦读取，存储在FRAM中的数据就会消失。
MRAM是一种比DRAM更快的非易失性存储器。
在实验室中，MRAM的写入时间可低至2.3 ns。
MRAM具有无限的识字率和低功耗，可实现即时切换并延长便携式设备的电池寿命。
而且，MRAM的电路比普通存储器简单，整个芯片只需要一个读出电路。
但就生产成本而言，MRAM远高于SRAM，DRAM和闪存。
OUM是一种非易失性存储器，可以取代低功耗闪存。
它具有较长的读写操作寿命，比闪存更容易集成。
OUM存储器单元非常密集，读取操作完全安全，需要非常低的电压和功率来操作，并且与现有逻辑电路的集成相当简单。
使用OUM单元制作的存储器可写入大约10亿次，使其成为便携式设备中大容量存储器的理想替代品。
然而，OUM具有一定的使用寿命，并且在长期使用中会存在一些可靠性问题。
PFRAM是一种基于聚合物的塑料非易失性存储器，通过三维堆叠技术实现高密度，但读写操作有限。
PFRAM可以取代闪存，其成本仅为NOR闪存的10％左右。
塑料存储器的存储潜力也很大。
将来，聚合物存储器的生产可能变得像打印照片一样简单，但今年这种非易失性存储器生产过程的开发才刚刚开始。
PFRAM具有有限的读写时间，并且其读取具有破坏性，就像FRAM一样。
