霍尔位置传感器

霍尔位置传感器使用霍尔元件，霍尔开关电路，霍尔线性电路以及各种补偿和保护电路以及磁路元件来形成霍尔位置传感器。

霍尔位置传感器包括霍尔位置基准传感器，霍尔零位置传感器，霍尔行程传感器，霍尔齿轮传感器，霍尔接近开关等。

在一片通电的半导体晶片上，加上垂直于片材表面的磁场B，在片材的侧面出现电压，如图1中的VH所示。

这种现象是霍尔效应，即科学家埃德温·霍尔于1879年被发现.VH被称为霍尔电压。

这种现象的发生是因为通电的半导体晶片中的载流子在磁场产生的洛伦兹力的作用下被偏转并累积在片材的侧面上，从而形成称为霍尔电场的电场。

霍尔电场产生的电场力与洛伦兹力相反，这阻止了载流子继续累积，直到霍尔电场力和洛伦兹力相等。

此时，在膜的两侧建立稳定的电压，即霍尔电压。

该半导体晶片称为霍尔元件。

霍尔元件可以由各种半导体材料制成，例如Ge，Si，InSb，GaAs，InAs，InAsP等。

1.结构紧凑，密封性强2.可与其他标准光电传感器机械互换3.黑色金属刀片插入工作原理4.脉冲计数和位置检测5.电流吸收（集电极开路）输出6.电源3.8 -30VDC 7使用中等强度的磁铁减少对周围区域的影响。

8.内部密封适用于一般环境应用。

9.无机械接触，无磨损。

10，非接触位置传感。